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新聞資訊

功率電感:EPC推出比等效MOSFET小型化12倍的200V氮化鎵功率晶體管

2017/6/8

  宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出面向多種應(yīng)用的EPC2046功率晶體管,包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應(yīng)用、太陽能微型逆變器及具低電感的馬達驅(qū)動器。EPC2046的額定電壓為200 V、大導(dǎo)通電阻RDS(on)為25 m?、脈沖輸出電流為55 A。

  EPC2046采用芯片級封裝,比使用塑膠封裝的MOSFET更有效地散熱,這是由于使用芯片級封裝的器件可以直接散熱至周遭環(huán)境,而MOSFET芯片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)。設(shè)計師現(xiàn)在可以同時實現(xiàn)更小型化和性能更高的器件!

  EPC公司執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱:「EPC2046 eGaN®產(chǎn)品采用新的第五代工藝,展示出EPC及其氮化鎵晶體管技術(shù)如何提升產(chǎn)品的性能之同時能夠降低器件的價格,這些優(yōu)勢推動全新應(yīng)用的發(fā)展,是日益老化的硅MOSFET所不可以實現(xiàn)得到的,并且吸引目前采用MOSFET的設(shè)計師轉(zhuǎn)用eGaN產(chǎn)品。這些全新晶體管也印證了氮化鎵與MOSFET技術(shù)在性能及成本方面的績效差距正在逐漸擴大!

  開發(fā)板

  EPC9079開發(fā)板的大器件電壓為200 V、半橋、帶板載柵極驅(qū)動器、內(nèi)含EPC2046晶體管、板載柵極驅(qū)動電源及旁路電容。該板為2英寸乘1.5英寸,其布局可實現(xiàn)優(yōu)開關(guān)性能,并且包含所有重要元件,從而可以幫助工程師易于對EPC2046 eGaN FET的性能進行評估。

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