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新聞資訊

功率電感:衛(wèi)星通信地面站Ka波段GaN HEMT MMIC

2017/11/3

  三菱電機(jī)株式會社將于11月1日發(fā)售Ka波段※1衛(wèi)星通信地面站功率放大器的高功率高頻率晶體管新產(chǎn)品,即實(shí)現(xiàn)了高達(dá)8W的輸出功率和兼具功率放大信號低失真特性的“衛(wèi)星通信地面站Ka波段GaN※2HEMT※3MMIC※4”。該產(chǎn)品具有更高輸出和更低失真特性,將有助于衛(wèi)星通信地面站的小型化。 ※1 頻率26GHz~40GHz的微波

  ※2 Gallium Nitride:氮化鎵

  ※3 High Electron Mobility Transistor:高遷移率晶體管

  ※4 Monolithic Microwave Integrated Circuit:單片微波集成電路

  衛(wèi)星通信地面站Ka波段GaN HEMT MMIC“MGFG5H3001”

  新產(chǎn)品的特點(diǎn)

  1.良好的輸出功率,有助于衛(wèi)星通信地面站的小型化

  ?新產(chǎn)品采用了具有良好高輸出功率適應(yīng)性的GaN設(shè)備,并進(jìn)一步優(yōu)化了晶體管結(jié)構(gòu),從而實(shí)現(xiàn)了高達(dá)8W的輸出功率。

  ?在一個(gè)GaN的芯片上配備多個(gè)放大用晶體管、匹配電路、線性化器※5

  ?減少了功率放大器末級的零部件構(gòu)成數(shù)量,將有效促進(jìn)衛(wèi)星通信地面站的小型化。

  ※5 用于修復(fù)功率放大器信號失真的器件

  2.通過的低失真特性,提高信號質(zhì)量,促進(jìn)小型化

  ?將以往一直安裝在外部的線性化器轉(zhuǎn)為內(nèi)置,從而實(shí)現(xiàn)了良好的功率放大信號的低失真特性。

  ?通過提高通信設(shè)備的信號質(zhì)量,以及減少失真補(bǔ)償電路的數(shù)量,將有效促進(jìn)地面站的小型化。

  3.擴(kuò)充產(chǎn)品陣容,以適用于多樣化的衛(wèi)星通信地面站

  ?在Ku波段※6的基礎(chǔ)上,增加Ka波段產(chǎn)品,以更加充實(shí)的產(chǎn)品陣容滿足衛(wèi)星通信地面站的多樣化需求。

  ※6 頻率12GHz~18GHz的微波

  發(fā)售概要

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