| 隨著技術(shù)的發(fā)展以及應(yīng)用的多樣化，促使電源提高功率密度減小體積，導(dǎo)致了電源工作頻率的上升，半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度提高。而根據(jù)傅立葉變化可以把這些功率半導(dǎo)體的開關(guān)信號分解成基波與高次的諧波，由于開關(guān)頻率的提高使得處于高次諧波的能量的增加，這就加劇了共模耦合。為了滿足國際上的 CISPR16 和國內(nèi)的 GB3907-83 EMI[1] 標(biāo)準(zhǔn)，通常會在功率電感變壓器的一二次側(cè)間增加屏蔽來阻隔共模干擾的耦合路徑[2]。 反激式的電源中，一次側(cè)的 MOSFET 和二次側(cè)的 DIODE 是主要的兩個(gè)開關(guān)器件，在導(dǎo)通關(guān)斷瞬間會生成較大 dv/dt 和 di/dt，這些能量的高次諧波會通過共模耦合與串?dāng)_的形式傳播到電網(wǎng)中形成干擾�，F(xiàn)有的文獻(xiàn)主要是針對利用銅箔屏蔽的變壓器耦合模型建立與分析，對于企業(yè)中大量應(yīng)用的低成本低損耗的解決方案：繞組屏蔽法卻相提甚少。 本文的主要研究對象是對反激電源中屏蔽繞組在共模干擾中模型的建立計(jì)算與驗(yàn)證，為反激電源變壓器的繞組屏蔽在設(shè)計(jì)上提供理論依據(jù)。
| ||
|
|
深圳市貝優(yōu)特科技有限公司
