5、PEBB（PowerElectricBuildingBlock）

　　電力電子積木PEBB（PowerElectricBuildingBlock）是在IPEM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的可處理電能集成的器件或模塊。PEBB并不是一種特定的半導體器件，它是依照的電路結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計的不同器件和技術(shù)的集成。典型的PEBB上圖所示。雖然它看起來很像功率半導體模塊，但PEBB除了包括功率半導體器件外，還包括門極驅(qū)動電路、電平轉(zhuǎn)換、傳感器、保護電路、電源和無源器件。PEBB有能量接口和通訊接口。通過這兩種接口，幾個PEBB可以組成電力電子系統(tǒng)。這些系統(tǒng)可以像小型的DC－DC轉(zhuǎn)換器一樣簡單，也可以像大型的分布式電力系統(tǒng)那樣復雜。一個系統(tǒng)中，PEBB的數(shù)量可以從一個到任意多個。多個PEBB模塊一起工作可以完成電壓轉(zhuǎn)換、能量的儲存和轉(zhuǎn)換、陰抗匹配等系統(tǒng)級功能，PEBB重要的特點就是其通用性。

　　6、超大功率晶閘管

　　晶閘管（SCR）自問世以來，其功率容量提高了近3000倍。現(xiàn)在許多國家已能穩(wěn)定生產(chǎn)8kV／4kA的晶閘管。日本現(xiàn)在已投產(chǎn)8kV／4kA和6kV／6kA的光觸發(fā)晶閘管（LTT）。美國和歐洲主要生產(chǎn)電觸發(fā)晶閘管。近十幾年來，由于自關(guān)斷器件的飛速發(fā)展，晶閘管的應用領(lǐng)域有所縮小，但是，由于它的高電壓、大電流特性，它在HVDC、靜止無功補償（SVC）、大功率直流電源及超大功率和高壓變頻調(diào)速應用方面仍占有十分重要的地位。預計在今后若干年內(nèi)，晶閘管仍將在高電壓、大電流應用場合得到繼續(xù)發(fā)展。

　　現(xiàn)在，許多生產(chǎn)商可提供額定開關(guān)功率36MVA（6kV／6kA）用的高壓大電流GTO。傳統(tǒng)GTO的典型的關(guān)斷增量僅為3～5。GTO關(guān)斷期間的不均勻性引起的“擠流效應”使其在關(guān)斷期間dv／dt必須限制在500～1kV／μs。為此，人們不得不使用體積大、昂貴的吸收電路。另外它的門極驅(qū)動電路較復雜和要求較大的驅(qū)動功率。到目前為止，在高壓（VBR》3．3kV）、大功率（0．5～20MVA）牽引、工業(yè)和電力逆變器中應用得為普遍的是門控功率半導體器件。目前，GTO的研究水平為6in、6kV／6kA以及9kV／10kA。為了滿足電力系統(tǒng)對1GVA以上的三相逆變功率電壓源的需要，近期很有可能開發(fā)出10kA／12kV的GTO，并有可能解決30多個高壓GTO串聯(lián)的技術(shù)，可望使電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中的應用方面再上一個臺階。

　　7、脈沖功率閉合開關(guān)晶閘管

　　該器件特別適用于傳送極強的峰值功率（數(shù)MW）、極短的持續(xù)時間（數(shù)ns）的放電閉合開關(guān)應用場合，如：激光器、高強度照明、放電點火、電磁發(fā)射器和雷達調(diào)制器等。該器件能在數(shù)kV的高壓下快速開通，不需要放電電極，具有很長的使用壽命，體積小、價格比較低，可望取代目前尚在應用的高壓離子閘流管、引燃管、火花間隙開關(guān)或真空開關(guān)等。

　　該器件獨特的結(jié)構(gòu)和工藝特點是：門－陰極周界很長并形成高度交織的結(jié)構(gòu)，門極面積占芯片總面積的90％，而陰極面積僅占10％；基區(qū)空穴－電子壽命很長，門－陰極之間的水平距離小于一個擴散長度。上述兩個結(jié)構(gòu)特點確保了該器件在開通瞬間，陰極面積能得到100％的應用。此外，該器件的陰極電極采用較厚的金屬層，可承受瞬時峰值電流。

　　8、新型GTO器件－集成門極換流晶閘管

　　當前已有兩種常規(guī)GTO的替代品：高功率的IGBT模塊、新型GTO派生器件－集成門極換流IGCT晶閘管。IGCT晶閘管是一種新型的大功率器件，與常規(guī)GTO晶閘管相比，它具有許多優(yōu)良的特性，例如，不用緩沖電路能實現(xiàn)可靠關(guān)斷、存貯時間短、開通能力強、關(guān)斷門極電荷少和應用系統(tǒng)（包括所有器件和外圍部件如陽極電抗器和緩沖電容器等）總的功率損耗低等。