1、ldo——基本的電源ic，是一種低壓差線性穩(wěn)壓器，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管（fet），從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mv 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的小值。正輸出電壓的ldo（低壓降）穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管（也稱為傳遞設(shè)備）作為 pnp。這種晶體管允許飽和，所以穩(wěn)壓器可以有一個(gè)非常低的壓降電壓，通常為 200mv 左右；與之相比，使用 npn 復(fù)合電源晶體管的傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的壓降為 2v 左右。負(fù)輸出 ldo 使用 npn 作為它的傳遞設(shè)備，其運(yùn)行模式與正輸出 ldo 的 pnp設(shè)備類似；

　　2、dc／dc——是指在直流電路中將一個(gè)電壓值的電能變?yōu)榱硪粋�(gè)電壓值的電能的裝置，是一種新研制的小型化電源開關(guān)模塊，它是采用微電子技術(shù)，把小型表面安裝集成電路與微型電子元器件組裝成一體而構(gòu)成。dc－dc電源模塊的使用有利于簡(jiǎn)化電源電路設(shè)計(jì)縮短研制周期，實(shí)現(xiàn)指標(biāo)等，可廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字儀表和智能儀器中；

　　3、pwm——脈沖寬度調(diào)制，是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或mos管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或mos管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。脈沖寬度調(diào)制是利用微處理器的數(shù)字輸出來對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)，廣泛應(yīng)用在從測(cè)量、通信到功率控制與變換的許多領(lǐng)域中；

　　4、功率mosfet——即以金屬層（m）的柵極隔著氧化層（o）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（s）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型，但通常主要指絕緣柵型中的mos型（l oxide semiconductor fet），簡(jiǎn)稱功率mosfet（power mosfet）。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（static induction transistor——sit）。其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于gtr，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kw的電力電子裝置。