MOSFET因導通內(nèi)阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。

　　在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、大電壓、大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。

　　當電源IC與MOS管選定之后， 選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

　　一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：

　　(1)開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。

　　(2)開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導通。

　　(3)關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。

　　(4)驅動電路結構簡單可靠、損耗小。

　　(5)根據(jù)情況施加隔離。

　　 下面介紹幾個模塊電源中常用的MOSFET驅動電路。

　　 1、電源IC直接驅動MOSFET

　　圖 1 IC直接驅動MOSFET

　　電源IC直接驅動是我們常用的驅動方式，同時也是簡單的驅動方式，使用這種驅動方式，應該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。，查看一下電源IC手冊，其大驅動峰值電流，因為不同芯片，驅動能力很多時候是不一樣的。第二，了解一下MOSFET的寄生電容，如圖 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅動峰值電流，那么管子導通的速度就比較慢。如果驅動能力不足，上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩，即使把圖 1中Rg減小，也不能解決問題! IC驅動能力、MOS寄生電容大小、MOS管開關速度等因素，都影響驅動電阻阻值的選擇，所以Rg并不能無限減小。

　　 2、電源IC驅動能力不足時

　　如果選擇MOS管寄生電容比較大，電源IC內(nèi)部的驅動能力又不足時，需要在驅動電路上增強驅動能力，常使用圖騰柱電路增加電源IC驅動能力，其電路如圖 2虛線框所示。

　　圖 2 圖騰柱驅動MOS

　　這種驅動電路作用在于，提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關斷時間，開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。

　　 3、驅動電路加速MOS管關斷時間

　　圖 3 加速MOS關斷