在傳導(dǎo)騷擾頻段（＜30MHz），多數(shù)開關(guān)電源騷擾的耦合通道是可以用電路網(wǎng)絡(luò)來描述的。但是，在開關(guān)電源中的任何一個實際元器件，如電阻器、電容器、功率電感器乃至開關(guān)管、二極管都包含有雜散參數(shù)，且研究的頻帶愈寬，等值電路的階次愈高，因此，包括各元器件雜散參數(shù)和元器件間的耦合在內(nèi)的開關(guān)電源的等效電路將復(fù)雜得多。

　　在高頻時，雜散參數(shù)對耦合通道的特性影響很大，分布電容的存在成為電磁騷擾的通道。另外，在開關(guān)管功率較大時，集電極一般都需加上散熱片，散熱片與開關(guān)管之間的分布電容在高頻時不能忽略，它能形成面向空間的輻射騷擾和電源線傳導(dǎo)的共模騷擾。

　　簡單的說：在高頻段＞1MHZ時，開關(guān)電源系統(tǒng)對地就存在分布電容；系統(tǒng)的關(guān)鍵信號，關(guān)鍵走線對地都存在分布電容；分布電容形成對地回到L，N的共模干擾信號。同時分布電容的環(huán)路形成對空間的輻射干擾。

　　輻射干擾共模與差模信號的磁場分布。

　　1．差模電流的磁場主要集中在差模電流構(gòu)成的回路面積之內(nèi)，

　　而回路面積之外的磁力線會相互抵消；

　　2．共模電流的磁場，在回路面積之外，

　　共模電流產(chǎn)生的磁場方向相同，磁場強度反而加強。

　　注意：

　　關(guān)于輻射的一個重要基本概念是：電流導(dǎo)致輻射，而非電壓。

　　輻射干擾共模與差模信號的場強特性。

　　1．較小的共模電流能夠產(chǎn)生強度很高的輻射；

　　2．很多因素都能導(dǎo)致共模電流；

　　比如：

　　A．電網(wǎng)串入共模干擾電壓－（我們EMS的部分模擬測試）

　　B．輻射干擾（如雷電，設(shè)備電弧，附近電臺，大功率輻射源）在信號線上感應(yīng)出共模干擾。

　　C．接地電壓不一樣。也就是說地電位差異引入共模干擾。

　　D．也包括設(shè)備內(nèi)部電線對電源線的影響。

　　數(shù)據(jù)結(jié)果－40dB 測試數(shù)據(jù)分析：

　　Data1： 一個20mA的差模電流，

　　在30MHZ時，將在3m遠的地方產(chǎn)生一個強度為100uV／m的輻射電場。

　　Data2： 一個8uA的共模電流，

　　在30MHZ時，將在3m遠的地方產(chǎn)生一個強度為100uV／m的輻射電場。

　　很小的共模電流 和 很大的差分電流產(chǎn)生大小相等的RF能量。

　　原因：共模電流不能在RF返回路徑中進行磁力線的抵消。

　　電子產(chǎn)品：開關(guān)電源系統(tǒng)EMI－輻射騷擾系統(tǒng)分布參數(shù)影響的電磁場環(huán)路分析

　　開關(guān)電源系統(tǒng)對地就存在分布電容；系統(tǒng)的關(guān)鍵信號，關(guān)鍵走線對地都存在分布電容；共模電流通過布局布線流經(jīng)系統(tǒng)的信號線及電纜的分布電容形成對地 回到L，N的共模干擾信號。同時分布電容的環(huán)路形成對空間的輻射干擾。

　　其中＞30MHZ以上 為輻射發(fā)射的天線接收；即共模輻射在空間產(chǎn)生電磁場，此時被輻射騷擾測試接收天線接收后，那么就形成了產(chǎn)品對外的輻射騷擾。

　　對電子產(chǎn)品的EMC的三大思考問題？

　　A．信號（源） 在哪里？

　　（外部干擾源EMS ＋內(nèi)部騷擾源EMI）

　　B．結(jié)構(gòu)設(shè)計 是這樣的嗎？

　�。óa(chǎn)品外部接地 系統(tǒng)內(nèi)部有接地端子或者浮地設(shè)計等等）

　　C．地的連接 還有更好的方法嗎？