CMOS 圖像傳感器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

　　典型的 CMOS 成像系統(tǒng)包含有源像素顏色陣列、模擬信號(hào)處理電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和用于控制接口、時(shí)序和數(shù)據(jù)讀取的數(shù)字部分。陣列的填充因數(shù)是感光部分相對(duì)于傳感器總尺寸的百分比。光電探測器是一種光敏傳感器，用于捕獲可見光子并將其轉(zhuǎn)換為電流（毫微微安級(jí)）。分辨率用于量化 CMOS 圖像傳感器中的總像素陣列數(shù)，例如，200 萬像素傳感器陣列是 1600 列和 1200 行。但是，陣列中的像素并非都是有源的（可用于光檢測），其中有些（在光學(xué)上是黑色的）像素用于黑電平和噪聲校正。

　　圖 1：典型的 CMOS 圖像傳感器模塊

　　現(xiàn)有多種不同的像素晶體管設(shè)計(jì)，包括三晶體管 （3T）、四晶體管 （4T） 和五晶體管 （5T） 版本。在 4T 布局中，光電二極管將接收到的可見光子轉(zhuǎn)換為電荷。每個(gè)電壓一次讀取一行并放入柱狀電容器 （C） 中。然后使用和多路復(fù)用器進(jìn)行讀取。

　　圖 2：四晶體管像素設(shè)計(jì)

　　幀率用于量化圖像處理陣列捕捉完整圖像的速度，一般為 30－120 fps。幀率受快門速度影響，后者控制圖像傳感器收集光線的時(shí)間�？删幊虝r(shí)間間隔，也稱為“暗期”，在讀取一行之后執(zhí)行其他任務(wù)時(shí)，此間隔也會(huì)影響幀率，約為讀取速率的 75％。幀是按順序逐行讀取的；，緩沖器將整個(gè)幀存儲(chǔ)為完整圖像。

　　電源設(shè)計(jì)考量

　　CMOS 圖像傳感器一般使用三個(gè)不同的供電軌，分別是模擬供電軌 （2．8 V AVDD）、接口供電軌（1．8 或 2．8 V DOVDD）和數(shù)字供電軌（1．2 或 1．8 V DVDD）。低壓降 （LDO） 穩(wěn)壓器的輸入引腳上有一個(gè)大旁路電容，可以穩(wěn)定電源，幫助減少電壓波動(dòng)，從而改善圖像傳感器的噪聲性能。電源抑制比 （PSRR） 衡量 LDO 抑制電源紋波引起的輸入電壓變化，或者阻斷由其他開關(guān)穩(wěn)壓器導(dǎo)致的噪聲的能力。具有低 PSRR 的 LDO 可能導(dǎo)致捕獲的圖像中出現(xiàn)不必要的水平紋波。在針對(duì)此應(yīng)用設(shè)計(jì)具有足夠高 PSRR 的 LDO 之前，可計(jì)算給定幀率所需的傳感器行頻。

　　圖 3：正在進(jìn)行穩(wěn)壓的 LDO

　　LDO 內(nèi)部的反饋環(huán)路基本決定了工作頻率低于 100 kHz 的系統(tǒng)的 PSRR。對(duì)于更高頻率（高于 100 kHz）應(yīng)用，仍取決于無源組件和 PCB 布局。因此，謹(jǐn)慎的 PCB 設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)緊湊的電流環(huán)路，并降低寄生電感。普通 LDO 在高頻率下 PSRR 較低。雖然這對(duì)標(biāo)準(zhǔn)攝像頭來說不是問題，但更高分辨率 （50?200 MP） 和高幀率的圖像傳感器要求 LDO 在更低頻率（ 10 kHz）下的 PSRR 高于 90 dB，在更高頻率 （1?3 MHz） 下高于 45 dB。

　　設(shè)計(jì)技巧

　　幀率 （30?120 fps） 和行速率 （22?44 kHz） 會(huì)產(chǎn)生動(dòng)態(tài)負(fù)載，在模擬供電軌上引起下沖和過沖。在每次幀或行轉(zhuǎn)換時(shí)，獲取的電流類似于階躍負(fù)載，意味著在每次讀取幀和行（或之間）時(shí)，LDO 必須能夠處理數(shù)百毫安級(jí)的負(fù)載變化。大容量電容（在行和幀頻率下具有低阻抗）可以幫助攝像頭去耦，以減少這種負(fù)載切換引起的紋波。

　　圖像傳感器的每個(gè)像素都有電荷飽和水平（或阱容），這是在達(dá)到飽和之前像素能留存的電荷量（以電子為單位）。圖像傳感器的動(dòng)態(tài)范圍（以 dB 表示）是能同時(shí)捕獲的圖像最亮和最暗部分的比率。LDO 輸出端的低頻譜噪聲密度（在 10 Hz 至 1 Mhz 之間）也有助于減少傳輸至 CMOS 圖像傳感器的噪聲量，使像素實(shí)現(xiàn)更大的動(dòng)態(tài)范圍。，總體紋波和噪聲應(yīng)至少低于傳感器的噪聲閾值 40 dB，在數(shù)據(jù)手冊中通常表示為信噪比 （SNR）。