3．電感器件出現(xiàn)噪音；在電子產(chǎn)品中我以BUCK為例進行分析；
根據(jù)BUCK控制IC芯片的不同和外圍電路的不同，解決方法也各不相同，本文檔的宗旨是分析電感噪音的根本原因，并綜合各種不同的解決方法，供學習參考和借鑒。
�、� 上端BUCK的控制設(shè)計－LED背光驅(qū)動設(shè)計電路
我們先來分析電路關(guān)鍵器件對性能參數(shù)的影響；
采樣電阻R＝R923／／R922／／R941／／R942；該電阻的作用是檢測輸出電流，當輸出電流超過閥值時，將控制輸出PWM脈沖寬度進行調(diào)整，保持輸出電流恒定。IC－7Pin ＆ 8Pin通過外部的PWM（150HZ－300HZ）來進行PWM調(diào)光控制；IC－14Pin－RT為內(nèi)部震蕩電路的頻率調(diào)整電阻，電阻變小，則頻率升高，一般情況，輸出方波頻率等于該震蕩頻率。頻率越高輸出紋波越小。
L901電感量越大，則輸出紋波越小，紋波的大小還會影響到輸出調(diào)整的靈敏度，紋波越小，靈敏度越高，輸出越穩(wěn)定。受BUCK回路超快恢復續(xù)流二極管的反向恢復時間的影響，過大的電感器件其分布電容增大在電感上的開關(guān)電流尖峰電流也越大，會使L901電感容易產(chǎn)生噪音。如下測試Data：
測試過大的電感尖峰電流。
調(diào)整電感分布電容參數(shù)后的電感尖峰電流。
�、陔姼性胍舻脑蛩诩敖鉀Q方法
A．電感噪音原因之一：周期性電流經(jīng)過電感線圈，產(chǎn)生交變磁場，該電感線圈在交變磁場作用下產(chǎn)生振動而發(fā)出聲音。
B．PWM－Dimming時BUCK電路輸出的開關(guān)電流的頻率接近或落入音頻范圍，或周期性方波群的周期頻率接近或落入音頻范圍。
C．非屏蔽性電感器件位置布局在金屬導體周圍，其開放性磁場的切割磁力線運動；在交變磁場作用下產(chǎn)生振動而發(fā)出聲音；如下圖設(shè)計：
850uH的工字型電感放置在板邊緣與金屬殼體高度距離過近＜5mm；通過調(diào)整位置或增加絕緣距離后，產(chǎn)品噪音消除！
�、� 電感噪音的解決方法
A．提高輸出開關(guān)電流的頻率。通過提高開關(guān)頻率保持紋波電流可以減小電感的感量，從而優(yōu)化電感器件的分布電容。
B．通過改善電感的繞制方法減小電感分布電容；電感改善工藝，減小振動噪音，如要求供應商增加浸漆及空隙點膠的工序等。
C． 通過優(yōu)化設(shè)計控制電感在峰值電流的磁通密度＜2300高斯以下；參考上述的公式通用適應用電感
其中Lm為設(shè)計電感量，Ibp是電感工作時峰值電流，Ae是磁芯橫斷面面積，NP是線圈圈數(shù)。在公式中可以得到，電感磁通量變化擺動減少：可調(diào)整Np，Ae，Lm，可減少音頻噪聲的結(jié)果。
調(diào)整合適的工作頻率及電感參數(shù)后；電子產(chǎn)品系統(tǒng)有的效果！如下：
CH1：MOS－DRV CH4：BUCK－L（電流）。
4．注意變壓器＆電感等感性器件其電感線圈品質(zhì)因數(shù)Q也比較關(guān)鍵的
Q值是衡量電感器件的主要參數(shù)．
Q值是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比．電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高．
品質(zhì)因數(shù)Q是反映線圈質(zhì)量的重要參數(shù)，提高線圈的Q值，
可以說是繞制線圈要注意的重點；高的Q值也會有更低的噪音問題！
對于感性器件提供給大家?guī)追N方法：同時對感性器件的噪音消除也有幫助！
A．根據(jù)工作頻率，選用線圈的導線及線徑
工作于低頻段的電感線圈，一般采用漆包線等帶絕緣的導線繞制。
工作頻率高于幾十KHZ，而低于1MHz的電路中，可采用多股絕緣的導線繞制線圈；這樣，可有效地增加導體的表面積，從而可以克服集膚效應的影響，使Q值比相同截面積的單根導線繞制的線圈提高30％－50％。
在高頻電路中如果使用工字型電感的電路中，電感線圈應采用單根導線繞制，導線的直徑一般為0．2mm－1．5mm。
采用間繞的電感線圈，常用鍍銀銅線繞制，以增加導線表面的導電性。
這時不宜選用多股導線繞制，否則線圈絕緣介質(zhì)及分布電容將引起額外的損耗，其效果反不如單根導線好。
B．選用的線圈骨架，減少介質(zhì)損耗
在頻率較高的場合，如為普通的線圈骨架，其介質(zhì)損耗顯著增加，因此應選用高頻介質(zhì)材料，如高頻瓷、聚四氟乙烯、聚苯乙烯等作為骨架，并采用間繞法繞制。
C．選擇合理的線圈尺寸
基本參數(shù)：繞組厚度t、繞組長度L和外徑D
外徑一定的單層線圈（φ20mm－30mm），當繞組長度 L與外徑 D的比值 L／D＝0．7時，其損耗��；
外徑一定的多層線圈L／ D＝0．2－0．5，用t／D＝0．25－0．1時，其損耗小。
繞組厚度t、繞組長度L和外徑D之間
滿足3t＋2L＝D的情況下，損耗也小。
采用屏蔽罩的線圈，其L／D＝0．8－1．2時。
D．選定合理屏蔽罩的直徑
用屏蔽罩，會增加線圈的損耗，使Q值降低，因此屏蔽罩的尺寸不宜過小。
然而屏蔽罩的尺寸過大，會增大體積，因而要選定合理屏蔽罩的直徑尺寸。
當屏蔽罩直徑Ds與線圈直徑 D之比滿足如下數(shù)值
即 Ds／D＝1．6－2．5時，Q值降低不大于10％。
E．采用合適的磁芯可使線圈圈數(shù)顯著減少
線圈中采用合適的磁芯，減少了線圈的圈數(shù)，可以減小線圈的電阻值及分布電容，有利Q值的提高，還可以縮小線圈的體積。
