1、ldo——基本的電源ic，是一種低壓差線性穩(wěn)壓器，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運行的晶體管或場效應管（fet），從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mv 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的小值。正輸出電壓的ldo（低壓降）穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管（也稱為傳遞設備）作為 pnp。這種晶體管允許飽和，所以穩(wěn)壓器可以有一個非常低的壓降電壓，通常為 200mv 左右；與之相比，使用 npn 復合電源晶體管的傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的壓降為 2v 左右。負輸出 ldo 使用 npn 作為它的傳遞設備，其運行模式與正輸出 ldo 的 pnp設備類似；

　　2、dc／dc——是指在直流電路中將一個電壓值的電能變?yōu)榱硪粋�電壓值的電能的裝置，是一種新研制的小型化電源開關模塊，它是采用微電子技術，把小型表面安裝集成電路與微型電子元器件組裝成一體而構成。dc－dc電源模塊的使用有利于簡化電源電路設計縮短研制周期，實現(xiàn)指標等，可廣泛應用于各類數(shù)字儀表和智能儀器中；

　　3、pwm——脈沖寬度調(diào)制，是一種模擬控制方式，根據(jù)相應載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或mos管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或mos管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術。脈沖寬度調(diào)制是利用微處理器的數(shù)字輸出來對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術，廣泛應用在從測量、通信到功率控制與變換的許多領域中；

　　4、功率mosfet——即以金屬層（m）的柵極隔著氧化層（o）利用電場的效應來控制半導體（s）的場效應晶體管。功率mos場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型，但通常主要指絕緣柵型中的mos型（l oxide semiconductor fet），簡稱功率mosfet（power mosfet）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（static induction transistor——sit）。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于gtr，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kw的電力電子裝置。