設(shè)計佳的電源 設(shè)計電源板需要很多資源，并且需要進(jìn)行大量的測試。定制電源需要很快設(shè)計好，以便完成MRI掃描儀項目，并且可能與現(xiàn)成的電源質(zhì)量不同，因為現(xiàn)成的電源已經(jīng)過多年的開發(fā)了。此外，電源還必須符合患者監(jiān)護(hù)系統(tǒng)(如IEC60601)的相關(guān)安規(guī)。因為這類電源已經(jīng)通過了監(jiān)管程序，所以它只需要符合特定項目架構(gòu)的要求即可。

　　MRI設(shè)備及其周圍環(huán)境

　　MRI使用磁場和無線電波能量脈沖來創(chuàng)建身體內(nèi)部器官和結(jié)構(gòu)的圖像。由線圈產(chǎn)生的磁場通常在1~4T的范圍內(nèi)，這是一個巨大的磁場，會對某些電氣設(shè)備產(chǎn)生嚴(yán)重的不利影響，例如電源的變壓器可能會因此飽和，而無法在這樣的環(huán)境中正常工作。出于患者在MRI掃描期間的安全性和舒適度考慮，一些設(shè)備要求電源盡可能靠近負(fù)載，這意味著供電設(shè)備在受到線圈產(chǎn)生的高磁場影響的情況下，必須仍然能夠安全地運行。

　　MRI使用大型磁鐵和無線電波來觀察人體內(nèi)的器官和結(jié)構(gòu)。當(dāng)為MRI架構(gòu)設(shè)計電源時，有許多具有挑戰(zhàn)性的設(shè)計要求。由于MRI機(jī)器測量的敏感性，電源的振蕩器頻率需要地固定在某個點上，而不能干擾MRI成像。

　　Powerbox的MRI電源方案

　　挑戰(zhàn)

　　Powerbox公司的設(shè)計人員要開發(fā)一種新型的無芯供電電源GB350，項目啟動后出現(xiàn)了很大的挑戰(zhàn)，這才意識到其復(fù)雜性(圖1)。由于電源設(shè)備是用于MRT(磁共振斷層掃描)系統(tǒng)，它將會受到非常強(qiáng)的磁場影響。這意味著，開發(fā)人員不能為上述產(chǎn)品使用帶磁芯的感性設(shè)備。

　　這個問題的解決方案包含一項新技術(shù)。新開發(fā)的無芯感性設(shè)備可讓電源在強(qiáng)磁場下也能正常運行。此外，設(shè)計人員在前面板連接器上加裝了一個80dB的屏蔽罩，可以屏蔽掉測量系統(tǒng)對MRT系統(tǒng)的干擾。

　　圖1：GB350電源。

　　該電源具有DSP穩(wěn)壓轉(zhuǎn)換器以及內(nèi)置速度控制的通風(fēng)裝置。設(shè)計人員開發(fā)出一種新技術(shù)，該技術(shù)具有無磁芯感應(yīng)和600kHz的四相開關(guān)功能——總共2.4MHz，可以使空芯(air-core)工作，以及一個數(shù)字處理器，可管理從開關(guān)參數(shù)到輸出電壓表征的一切。2.4MHz開關(guān)頻率可以與MRI或其他設(shè)備中的外部時鐘同步。該頻率減小了空芯電感器的尺寸，并將開關(guān)電源的開關(guān)頻率保持在MRI設(shè)備的敏感范圍之外，從而確保MRI設(shè)備中測量信號的準(zhǔn)確處理，這是獲得高質(zhì)量圖像的關(guān)鍵。

　　該電源的輸入電壓為+13VDC，輸出電壓如下：

　　+6.90VDC/60A +3.45VDC/50A +1.65VDC/50A

　　作為同類產(chǎn)品中的款結(jié)構(gòu)單元，該電源的架構(gòu)是一個降壓轉(zhuǎn)換器模塊，能夠暴露在MRI掃描儀的高輻射磁場中而安全地工作。該電源具有350W的輸出功率，當(dāng)需要更高的功率時，可以采用交錯式并聯(lián)，從而降低EMI�，F(xiàn)代MRI系統(tǒng)通常會產(chǎn)生1~4T的磁場，而使采用鐵氧體材料的常規(guī)電源無法工作，因為MRI磁體會干擾能量傳輸而導(dǎo)致電感飽和。

　　為了防止寄生飽和，電源一般放置在屏蔽手術(shù)室的外面。遠(yuǎn)程安裝電源需要較長的電纜，而且會產(chǎn)生能量損耗;對于在快速瞬變負(fù)載條件下需要嚴(yán)格穩(wěn)壓供電的新一代測量設(shè)備來說，這也是一項巨大的挑戰(zhàn)。

　　該解決方案采用670W無芯設(shè)計，采用從電感向電感傳遞能量的原理。為了確保佳性能，設(shè)計人員采用了DSP控制，以及具有并聯(lián)和交錯的高級電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從而簡化了功率調(diào)整，降低了EMI。為了保護(hù)整個電源免受電磁泄漏的干擾，電源還采用了80dB的屏蔽層進(jìn)行屏蔽保護(hù)。

　　在英國《Electronic Weekly(電子周刊)》雜志主辦的2017年Elektra Awards頒獎大會上，Powerbox的這一設(shè)計榮獲年度佳電源系統(tǒng)產(chǎn)品獎(圖2)。該獎項主要頒發(fā)給能夠在技術(shù)能力和實用性方面展示出優(yōu)于同類產(chǎn)品的電源產(chǎn)品。評選標(biāo)準(zhǔn)包括產(chǎn)品性能、設(shè)計應(yīng)用，以及新的拓?fù)浜图軜?gòu)、使用材料、高級半導(dǎo)體技術(shù)和封裝等。

　　GB350是一款非常聰明和絕妙的解決方案，解決了一個長期以來從未解決的問題——它是款真正的。

　　圖2：在去年12月6日的倫敦特別獎頒獎晚會上，Powerbox的市場營銷和通訊部(CMCO)Patrick Le Fèvre從喜劇演員Hal Cruttenden手中接過獎項——Hal Cruttenden應(yīng)邀擔(dān)任《Electronic Weekly》頒獎典禮主持人。(照片來源：Leo Johnson攝影)

　　MRI環(huán)境的分立電源設(shè)計

　　一些設(shè)計師努力去做自己的定制設(shè)計。有許多應(yīng)用要求開關(guān)電源解決方案完全不受強(qiáng)磁場的影響——即使是精心屏蔽的鐵氧體磁芯變壓器也會因為強(qiáng)磁場而飽和。他們可能會使用開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換技術(shù)。然而，在自制設(shè)計中，MRI設(shè)備發(fā)出的RF場也需要予以考慮。設(shè)計人員需要了解他們的設(shè)計應(yīng)該如何進(jìn)行RF屏蔽(見參考文獻(xiàn)《Power Supply for MRI Environment(面向MRI環(huán)境的電源)》)。

　　通常情況下，空芯變壓器效率不高(20~30%)，但可以完成這項工作。設(shè)計師需要問的問題是：我能夠在市場上買到的空芯電感器效率如何?這可以滿足我的設(shè)計要求嗎?

　　此外，市場上容易獲得的無芯電感器有多大?好像Farnell公司出售的型號多只有0.5μH。

　　屏蔽材料

　　設(shè)計人員可能希望使用屏蔽材料來隔離高強(qiáng)度磁場。相對磁導(dǎo)率對于所有頻率不會保持不變。不同的屏蔽材料具有不同的相對磁導(dǎo)率，因此其有效屏蔽的特定頻率范圍也不同。表1列出了一些屏蔽材料在150kHz下的電氣屬性。

　　要注意不應(yīng)使鐵磁材料飽和，不然就會失去衰減磁場的能力。上述參考文獻(xiàn)中的解決方案建議創(chuàng)建一個雙層屏蔽層，其中外層具有較低的相對磁導(dǎo)率和較低的飽和磁化率，這將使得內(nèi)屏蔽層可以很好地屏蔽磁場。

　　德州儀器針對MRI電源的分立方案

　　德州儀器(TI)在其網(wǎng)站上對同步問題也有很好的評論，見《Create a power supply for an MRI application(為MRI應(yīng)用設(shè)計電源)》一文。電源的開關(guān)頻率必須與2.488MHz時鐘同步，因為MRI在掃描時會輻射出一個高強(qiáng)度磁場，一般在1~4T的范圍內(nèi)。由于電源中使用的傳統(tǒng)磁芯材料會在這種強(qiáng)度的磁場下飽和，因此必須使用空芯電感來替換磁芯。然而，對于沒有鐵氧體磁芯材料的電感器，空芯方法只能提供非常低的電感值。

　　德州儀器為MRI電源方案推薦LM5140-Q1，這是一款達(dá)到汽車級要求的雙通道同步降壓控制器。這款I(lǐng)C能成為MRI應(yīng)用理想之選的一個特性就是，它能夠與高達(dá)2.6MHz的外部時鐘實現(xiàn)同步。這個頻率上可以使用較小的空芯電感器，并且保持開關(guān)電源的開關(guān)頻率處于MRI設(shè)備的敏感范圍之外。這樣就能夠處理MRI中的測量信號而獲得高質(zhì)量圖像。

　　MRI電感器設(shè)計步驟

　　MRI電源所需的電感與開關(guān)頻率成正比，如公式1所示：

　　其中：L是μH級的電感，VOUT是輸出電壓，ΔI是電感紋波電流，F(xiàn)SW是開關(guān)頻率，D是占空比。

　　一旦計算出了所需的電感值，就可以使用公式2來確定空芯電感器的大�。�

　　其中：L是μH級的電感，d是以in為單位的線圈直徑，I是以in為單位的線圈長度，n是匝數(shù)。

　　對照公式1和公式2，可以看到較高的開關(guān)頻率會導(dǎo)致較低的電感值。較低的電感值所需的空芯電感尺寸就比較小。

　　表2列出了MRI設(shè)備的典型電源要求。其高的電源軌是20.5A/12V，(標(biāo)稱)輸入電壓為48V。MOSFET RDS(ON)和開關(guān)損耗(在2.488MHz工作時是主要的MOSFET損耗)兩者相結(jié)合，使得熱管理極具挑戰(zhàn)性。

　　解決方案是用氮化鎵(GaN)FET替換MOSFET。GaN FET的效率要比MOSFET高很多——因為其具有幾乎為零的反向恢復(fù)時間、較低的RDS(ON)和較低的柵極電荷((QG)，所以可以將損耗降低至可控的水平。GaN FET具有關(guān)鍵的柵極驅(qū)動要求，因此LM5113 GaN FET驅(qū)動器也是必需的。

　　AVX公司提供空芯電感器樣品，Coilcraft公司有Air Core Springs和設(shè)計者工具。